KDR8702H - описание и поиск аналогов

 

KDR8702H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDR8702H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KDR8702H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDR8702H даташит

 ..1. Size:77K  kexin
 kdr8702h.pdf pdf_icon

KDR8702H

SMD Type IC SMD Type Transistors 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET KDR8702H Features N-Ch RDS(ON) = 54m @VGS =2.5 V 3.6A, 20V RDS(ON) =38m @VGS =4.5V P-Ch RDS(ON) = 110 m @VGS=- 2.5V -2.6 A, -20 V RDS(ON) =80m @VGS =-4.5V Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P- Channel Unit D

Другие MOSFET... KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , MMIS60R580P , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.