Справочник MOSFET. KDR8702H

 

KDR8702H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDR8702H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KDR8702H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  kexin
 kdr8702h.pdf pdf_icon

KDR8702H

SMD Type ICSMD Type Transistors20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETKDR8702HFeaturesN-Ch RDS(ON) = 54m @VGS =2.5 V3.6A, 20V RDS(ON) =38m @VGS =4.5VP-Ch RDS(ON) = 110 m @VGS=- 2.5V-2.6 A, -20 V RDS(ON) =80m @VGS =-4.5VFast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P- Channel UnitD

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SQJ479EP | SIHG47N60S | 2SK3563 | HGI110N08AL | 2SK3766 | FCD620N60ZF | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.