Справочник MOSFET. KDR8702H

 

KDR8702H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDR8702H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDR8702H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDR8702H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  kexin
 kdr8702h.pdf pdf_icon

KDR8702H

SMD Type ICSMD Type Transistors20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETKDR8702HFeaturesN-Ch RDS(ON) = 54m @VGS =2.5 V3.6A, 20V RDS(ON) =38m @VGS =4.5VP-Ch RDS(ON) = 110 m @VGS=- 2.5V-2.6 A, -20 V RDS(ON) =80m @VGS =-4.5VFast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P- Channel UnitD

Другие MOSFET... KDB5690 , KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , 2N7002 , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 .

 

 
Back to Top

 


 
.