KDS2572 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KDS2572
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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KDS2572 Datasheet (PDF)

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kds2572.pdf

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel UltraFET Trench MOSFETKDS2572FeaturesRDS(ON) = 0.040 (Typ.), VGS = 10VQg(TOT) = 29nC (Typ.), VGS = 10VLow QRR Body DiodeMaximized efficiency at high frequenciesUIS RatedAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS 150 VGate to Source Voltage VGS 20 VDrain Current Continuous (TC =25 ) *1 4.9 A

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: