KDS2572 Todos los transistores

 

KDS2572 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDS2572
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KDS2572 Datasheet (PDF)

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KDS2572

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel UltraFET Trench MOSFETKDS2572FeaturesRDS(ON) = 0.040 (Typ.), VGS = 10VQg(TOT) = 29nC (Typ.), VGS = 10VLow QRR Body DiodeMaximized efficiency at high frequenciesUIS RatedAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS 150 VGate to Source Voltage VGS 20 VDrain Current Continuous (TC =25 ) *1 4.9 A

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History: IPP65R110CFDA

 

 
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