Справочник MOSFET. KDS2572

 

KDS2572 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS2572
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS2572

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS2572 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  kexin
 kds2572.pdf pdf_icon

KDS2572

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel UltraFET Trench MOSFETKDS2572FeaturesRDS(ON) = 0.040 (Typ.), VGS = 10VQg(TOT) = 29nC (Typ.), VGS = 10VLow QRR Body DiodeMaximized efficiency at high frequenciesUIS RatedAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS 150 VGate to Source Voltage VGS 20 VDrain Current Continuous (TC =25 ) *1 4.9 A

Другие MOSFET... KDB6030L , KDB7045L , KDC6020C , KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , HY1906P , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 .

 

 
Back to Top

 


 
.