KDS3912 Todos los transistores

 

KDS3912 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDS3912

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KDS3912 datasheet

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KDS3912

SMD Type IC SMD Type IC 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET KDS3912 Features 3 A, 100 V. RDS(ON) = 125m @VGS =10 V RDS(ON) = 135m @VGS =6 V Low gate charge (14 nC typical) Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain to Source Voltag

Otros transistores... KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , IRFP064N , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 .

 

 

 

 

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