KDS3912 Todos los transistores

 

KDS3912 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDS3912
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KDS3912 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  kexin
 kds3912.pdf pdf_icon

KDS3912

SMD Type ICSMD Type IC100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFETKDS3912Features3 A, 100 V. RDS(ON) = 125m @VGS =10 VRDS(ON) = 135m @VGS =6 VLow gate charge (14 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltag

Otros transistores... KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , 5N50 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 .

History: IXFH16N50P3

 

 
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