Справочник MOSFET. KDS3912

 

KDS3912 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS3912
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS3912

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS3912 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  kexin
 kds3912.pdf pdf_icon

KDS3912

SMD Type ICSMD Type IC100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFETKDS3912Features3 A, 100 V. RDS(ON) = 125m @VGS =10 VRDS(ON) = 135m @VGS =6 VLow gate charge (14 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltag

Другие MOSFET... KDD2572 , KDD3670 , KDD3680 , KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , 5N50 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 .

History: STT02N10

 

 
Back to Top

 


 
.