KDS4953 Todos los transistores

 

KDS4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDS4953
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KDS4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  kexin
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KDS4953

SMD Type ICSMD Type ICDual 30V P-Channel PowerTrench MOSFETKDS4953Features-5 A, -30 V. RDS(ON) = 55m @VGS = -10VRDS(ON) = 95m @VGS =-4.5VLow gate charge(6nC typical)High performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityFast switching speed1: Source 13: Source 22: Gate 1 4: Gate 27,8: Drain 1 5,6: Drain 2Absolute Maxim

Otros transistores... KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , IRF3205 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A .

History: 2N6784SM | APT1004R2GN

 

 
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