KDS4953 Todos los transistores

 

KDS4953 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDS4953

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KDS4953 datasheet

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KDS4953

SMD Type IC SMD Type IC Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET KDS4953 Features -5 A, -30 V. RDS(ON) = 55m @VGS = -10V RDS(ON) = 95m @VGS =-4.5V Low gate charge(6nC typical) High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability Fast switching speed 1 Source 1 3 Source 2 2 Gate 1 4 Gate 2 7,8 Drain 1 5,6 Drain 2 Absolute Maxim

Otros transistores... KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , IRF3205 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A .

History: IRLW530A | SML100J19 | NTB6412AN | STV7NA40 | SML1004RBN | IRFB4310ZGPBF

 

 

 

 

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