KDS4953 Todos los transistores

 

KDS4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDS4953
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

KDS4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  kexin
 kds4953.pdf pdf_icon

KDS4953

SMD Type ICSMD Type ICDual 30V P-Channel PowerTrench MOSFETKDS4953Features-5 A, -30 V. RDS(ON) = 55m @VGS = -10VRDS(ON) = 95m @VGS =-4.5VLow gate charge(6nC typical)High performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityFast switching speed1: Source 13: Source 22: Gate 1 4: Gate 27,8: Drain 1 5,6: Drain 2Absolute Maxim

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RFP12N06RLE | STP55N06L | SH8K12 | BUZ358 | STP33N65M2 | RFL1N10L | AUIRF2804

 

 
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