KDS4953 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KDS4953
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 132 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
KDS4953 Datasheet (PDF)
..1. Size:62K kexin
kds4953.pdf
kds4953.pdf
SMD Type ICSMD Type ICDual 30V P-Channel PowerTrench MOSFETKDS4953Features-5 A, -30 V. RDS(ON) = 55m @VGS = -10VRDS(ON) = 95m @VGS =-4.5VLow gate charge(6nC typical)High performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityFast switching speed1: Source 13: Source 22: Gate 1 4: Gate 27,8: Drain 1 5,6: Drain 2Absolute Maxim
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
