Справочник MOSFET. KDS4953

 

KDS4953 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS4953
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS4953

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  kexin
 kds4953.pdf pdf_icon

KDS4953

SMD Type ICSMD Type ICDual 30V P-Channel PowerTrench MOSFETKDS4953Features-5 A, -30 V. RDS(ON) = 55m @VGS = -10VRDS(ON) = 95m @VGS =-4.5VLow gate charge(6nC typical)High performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityFast switching speed1: Source 13: Source 22: Gate 1 4: Gate 27,8: Drain 1 5,6: Drain 2Absolute Maxim

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDS4559F085 | NDF08N50Z | FDD8882

 

 
Back to Top

 


 
.