KDS6375 Todos los transistores

 

KDS6375 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDS6375
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

KDS6375 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  kexin
 kds6375.pdf pdf_icon

KDS6375

SMD Type ICSMD Type ICP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETKDS6375Features-8 A, -20 V. RDS(ON) = 24m @VGS =-4.5VRDS(ON) = 32m @VGS =-2.5VLow gate charge(26nC typical)High performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS -20 VGat

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NCE65TF099F | HUFA76423S3ST | P06P03LDG

 

 
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