KDS6375 Todos los transistores

 

KDS6375 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDS6375

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KDS6375 datasheet

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KDS6375

SMD Type IC SMD Type IC P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET KDS6375 Features -8 A, -20 V. RDS(ON) = 24m @VGS =-4.5V RDS(ON) = 32m @VGS =-2.5V Low gate charge(26nC typical) High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain to Source Voltage VDSS -20 V Gat

Otros transistores... KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , IRF840 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N .

History: AOL1420

 

 

 

 

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