Справочник MOSFET. KDS6375

 

KDS6375 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS6375
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS6375

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS6375 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  kexin
 kds6375.pdf pdf_icon

KDS6375

SMD Type ICSMD Type ICP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETKDS6375Features-8 A, -20 V. RDS(ON) = 24m @VGS =-4.5VRDS(ON) = 32m @VGS =-2.5VLow gate charge(26nC typical)High performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS -20 VGat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FS20KM-5 | CEH2321A | FDP7N60NZ | IXFX32N50Q | IRLSZ44A | CEM2163 | SM2A16NSFP

 

 
Back to Top

 


 
.