Справочник MOSFET. KDS6375

 

KDS6375 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS6375
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS6375

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS6375 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  kexin
 kds6375.pdf pdf_icon

KDS6375

SMD Type ICSMD Type ICP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETKDS6375Features-8 A, -20 V. RDS(ON) = 24m @VGS =-4.5VRDS(ON) = 32m @VGS =-2.5VLow gate charge(26nC typical)High performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS -20 VGat

Другие MOSFET... KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , IRF840 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N .

History: FDMA0104 | 2N6793LCC4 | ATP103 | FRS140R | 3SK74M | STH60N10FI

 

 
Back to Top

 


 
.