KDS6375 - описание и поиск аналогов

 

KDS6375. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDS6375

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KDS6375

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS6375 даташит

 ..1. Size:66K  kexin
 kds6375.pdf pdf_icon

KDS6375

SMD Type IC SMD Type IC P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET KDS6375 Features -8 A, -20 V. RDS(ON) = 24m @VGS =-4.5V RDS(ON) = 32m @VGS =-2.5V Low gate charge(26nC typical) High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain to Source Voltage VDSS -20 V Gat

Другие MOSFET... KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , IRF840 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.