KDS6685 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDS6685
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 408 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de KDS6685 MOSFET
KDS6685 Datasheet (PDF)
kds6685.pdf
SMD Type ICSMD Type IC30V P-Channel PowerTrench MOSFETKDS6685Features-8.8 A, -30 V. RDS(ON) = 20m @VGS =-10 VRDS(ON) = 35m @VGS =-4.5VLow gate charge(17 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage V
Otros transistores... KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , IRF840 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM3404E | AGM3401E | AGM3400EL | AGM30P10A | AGM30P100D | AGM30P100A | AGM30P08D | AGM30P08AP | AGM30P08A | AGM30P05D | AGM30P05AP | AGM30P05A | AGM308SR | AGM308S | AGM308MN | AGMS5N50D
Popular searches
c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor

