KDS6685 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KDS6685
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 408 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для KDS6685
KDS6685 Datasheet (PDF)
kds6685.pdf
SMD Type ICSMD Type IC30V P-Channel PowerTrench MOSFETKDS6685Features-8.8 A, -30 V. RDS(ON) = 20m @VGS =-10 VRDS(ON) = 35m @VGS =-4.5VLow gate charge(17 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage V
Другие MOSFET... KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , IRF840 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P .
History: KDR8702H | KDS3601 | STW8N80 | KDS3512
History: KDR8702H | KDS3601 | STW8N80 | KDS3512
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMS5N50D | AGML315ME | AGMH70N90H | AGMH70N90C | AGMH70N70D | AGMH70N70C | AGMH614H | AGMH614D | AGMH614C | AGMH612D | AGMH6080H | AGMH606H | AGMH606C | AGMH605C | AGMH403A1 | AGM308MBP
Popular searches
c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor


