Справочник MOSFET. KDS6685

 

KDS6685 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS6685
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 408 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS6685

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS6685 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  kexin
 kds6685.pdf pdf_icon

KDS6685

SMD Type ICSMD Type IC30V P-Channel PowerTrench MOSFETKDS6685Features-8.8 A, -30 V. RDS(ON) = 20m @VGS =-10 VRDS(ON) = 35m @VGS =-4.5VLow gate charge(17 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage V

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRFI1010N | FMH40N60S1FD | NTUD3127C

 

 
Back to Top

 


 
.