KDS6685 - описание и поиск аналогов

 

KDS6685. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDS6685

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 408 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KDS6685

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS6685 даташит

 ..1. Size:65K  kexin
 kds6685.pdf pdf_icon

KDS6685

SMD Type IC SMD Type IC 30V P-Channel PowerTrench MOSFET KDS6685 Features -8.8 A, -30 V. RDS(ON) = 20m @VGS =-10 V RDS(ON) = 35m @VGS =-4.5V Low gate charge(17 nC typical) Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain to Source Voltage V

Другие MOSFET... KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , 20N60 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P .

History: RUH3025M3 | 7N60GS | RUH3030M3 | RUH30J120M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.