KDS8333C Todos los transistores

 

KDS8333C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDS8333C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KDS8333C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  kexin
 kds8333c.pdf pdf_icon

KDS8333C

SMD Type ICSMD Type Transistors60V Complementary PowerTrench MOSFETKDS8333CFeaturesN-Channel4.1A, 30 V RDS(ON) = 80m @VGS =10VRDS(ON) = 130m @VGS =4.5VP-Channel-3.4 A, 30 V RDS(ON) = 130 m @VGS =- 10 VRDS(ON) = 200 m @VGS =-4.5VLow gate chargeHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON).High power and handling capability in a widely usedsurface mount

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History: STM101N

 

 
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