KDS8333C Todos los transistores

 

KDS8333C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDS8333C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KDS8333C datasheet

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KDS8333C

SMD Type IC SMD Type Transistors 60V Complementary PowerTrench MOSFET KDS8333C Features N-Channel 4.1A, 30 V RDS(ON) = 80m @VGS =10V RDS(ON) = 130m @VGS =4.5V P-Channel -3.4 A, 30 V RDS(ON) = 130 m @VGS =- 10 V RDS(ON) = 200 m @VGS =-4.5V Low gate charge High performance trench technology for extremely low RDS(ON). High power and handling capability in a widely used surface mount

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