Справочник MOSFET. KDS8333C

 

KDS8333C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS8333C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS8333C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS8333C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  kexin
 kds8333c.pdf pdf_icon

KDS8333C

SMD Type ICSMD Type Transistors60V Complementary PowerTrench MOSFETKDS8333CFeaturesN-Channel4.1A, 30 V RDS(ON) = 80m @VGS =10VRDS(ON) = 130m @VGS =4.5VP-Channel-3.4 A, 30 V RDS(ON) = 130 m @VGS =- 10 VRDS(ON) = 200 m @VGS =-4.5VLow gate chargeHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON).High power and handling capability in a widely usedsurface mount

Другие MOSFET... KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , IRF540N , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C , KDW258P .

History: FDC642PF085 | HFS2N60FS | STH60N10 | CEF14P20 | BUK102-50DL | STH14N50 | CM50N06

 

 
Back to Top

 


 
.