Справочник MOSFET. KDS8333C

 

KDS8333C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS8333C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS8333C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS8333C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  kexin
 kds8333c.pdf pdf_icon

KDS8333C

SMD Type ICSMD Type Transistors60V Complementary PowerTrench MOSFETKDS8333CFeaturesN-Channel4.1A, 30 V RDS(ON) = 80m @VGS =10VRDS(ON) = 130m @VGS =4.5VP-Channel-3.4 A, 30 V RDS(ON) = 130 m @VGS =- 10 VRDS(ON) = 200 m @VGS =-4.5VLow gate chargeHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON).High power and handling capability in a widely usedsurface mount

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FDP75N08A

 

 
Back to Top

 


 
.