KDS8333C - описание и поиск аналогов

 

KDS8333C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDS8333C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KDS8333C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS8333C даташит

 ..1. Size:80K  kexin
 kds8333c.pdf pdf_icon

KDS8333C

SMD Type IC SMD Type Transistors 60V Complementary PowerTrench MOSFET KDS8333C Features N-Channel 4.1A, 30 V RDS(ON) = 80m @VGS =10V RDS(ON) = 130m @VGS =4.5V P-Channel -3.4 A, 30 V RDS(ON) = 130 m @VGS =- 10 V RDS(ON) = 200 m @VGS =-4.5V Low gate charge High performance trench technology for extremely low RDS(ON). High power and handling capability in a widely used surface mount

Другие MOSFET... KDS4470 , KDS4501H , KDS4559 , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , IRF540 , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C , KDW258P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.