Справочник MOSFET. KDS8333C

 

KDS8333C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KDS8333C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для KDS8333C

 

 

KDS8333C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  kexin
 kds8333c.pdf

KDS8333C KDS8333C

SMD Type ICSMD Type Transistors60V Complementary PowerTrench MOSFETKDS8333CFeaturesN-Channel4.1A, 30 V RDS(ON) = 80m @VGS =10VRDS(ON) = 130m @VGS =4.5VP-Channel-3.4 A, 30 V RDS(ON) = 130 m @VGS =- 10 VRDS(ON) = 200 m @VGS =-4.5VLow gate chargeHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON).High power and handling capability in a widely usedsurface mount

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top