KDS9952A Todos los transistores

 

KDS9952A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDS9952A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KDS9952A datasheet

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KDS9952A

SMD Type IC SMD Type Transistors Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor KDS9952A Features N-Channel 3.7A, 30V, RDS(ON)=0.08W @ VGS=10V. P-Channel -2.9A, -30V, RDS(ON)=0.13W @ VGS=-10V. High density cell design or extremely low RDS(ON). High power and current handling capability in a widely used surface mount package. Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount p

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