KDS9952A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KDS9952A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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KDS9952A Datasheet (PDF)

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kds9952a.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsDual N & P-Channel Enhancement ModeField Effect TransistorKDS9952AFeaturesN-Channel 3.7A, 30V, RDS(ON)=0.08W @ VGS=10V.P-Channel -2.9A, -30V, RDS(ON)=0.13W @ VGS=-10V.High density cell design or extremely low RDS(ON).High power and current handling capability in a widely usedsurface mount package.Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount p

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History: BSL207N

Liste

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