Справочник MOSFET. KDS9952A

 

KDS9952A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KDS9952A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для KDS9952A

 

 

KDS9952A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  kexin
 kds9952a.pdf

KDS9952A KDS9952A

SMD Type ICSMD Type TransistorsDual N & P-Channel Enhancement ModeField Effect TransistorKDS9952AFeaturesN-Channel 3.7A, 30V, RDS(ON)=0.08W @ VGS=10V.P-Channel -2.9A, -30V, RDS(ON)=0.13W @ VGS=-10V.High density cell design or extremely low RDS(ON).High power and current handling capability in a widely usedsurface mount package.Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount p

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top