KDS9952A - описание и поиск аналогов

 

KDS9952A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDS9952A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KDS9952A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS9952A даташит

 ..1. Size:80K  kexin
 kds9952a.pdf pdf_icon

KDS9952A

SMD Type IC SMD Type Transistors Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor KDS9952A Features N-Channel 3.7A, 30V, RDS(ON)=0.08W @ VGS=10V. P-Channel -2.9A, -30V, RDS(ON)=0.13W @ VGS=-10V. High density cell design or extremely low RDS(ON). High power and current handling capability in a widely used surface mount package. Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount p

Другие MOSFET... KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , IRFZ44 , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C , KDW258P , KE3587-G , KF10N65F , KF16N25D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.