Справочник MOSFET. KDS9952A

 

KDS9952A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS9952A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS9952A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  kexin
 kds9952a.pdf pdf_icon

KDS9952A

SMD Type ICSMD Type TransistorsDual N & P-Channel Enhancement ModeField Effect TransistorKDS9952AFeaturesN-Channel 3.7A, 30V, RDS(ON)=0.08W @ VGS=10V.P-Channel -2.9A, -30V, RDS(ON)=0.13W @ VGS=-10V.High density cell design or extremely low RDS(ON).High power and current handling capability in a widely usedsurface mount package.Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount p

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SDFE22JAA | AP2306CGN-HF | IRFR2905Z | SE200100G | 2SJ528L | FDMC7678 | VBZE100N02

 

 
Back to Top

 


 
.