KDS9952A - аналоги и даташиты транзистора

 

KDS9952A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KDS9952A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS9952A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS9952A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  kexin
 kds9952a.pdf pdf_icon

KDS9952A

SMD Type ICSMD Type TransistorsDual N & P-Channel Enhancement ModeField Effect TransistorKDS9952AFeaturesN-Channel 3.7A, 30V, RDS(ON)=0.08W @ VGS=10V.P-Channel -2.9A, -30V, RDS(ON)=0.13W @ VGS=-10V.High density cell design or extremely low RDS(ON).High power and current handling capability in a widely usedsurface mount package.Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount p

Другие MOSFET... KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , IRF640 , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C , KDW258P , KE3587-G , KF10N65F , KF16N25D .

 

 
Back to Top

 


 
.