OM11N55SA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OM11N55SA 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3000 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
Encapsulados: TO254AA
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OM11N55SA datasheet
om11n60sa.pdf
OM11N60SA OM11N55SA POWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATED TO-254AA PACKAGE 600V & 550V, 11 Amp, N-Channel MOSFET In Hermetic Metal Package FEATURES Isolated Hermetic Metal Package Fast Switching Low RDS(on) Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Ceramic Feedthroughs Also Available DESCRIPTION This series of hermetically packaged products feature the latest
Otros transistores... NDT451AN, NDT451N, NDT452AP, NDT452P, NDT453N, NDT454P, NDT455N, NDT456P, IRF640, OM11N60SA, OM1N100SA, OM1N100ST, OM3N100SA, OM3N100ST, OM5N100SA, OM6N100SA, PHB11N50E
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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