OM11N55SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OM11N55SA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
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OM11N55SA Datasheet (PDF)
om11n60sa.pdf
OM11N60SAOM11N55SAPOWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATEDTO-254AA PACKAGE600V & 550V, 11 Amp, N-ChannelMOSFET In Hermetic Metal PackageFEATURES Isolated Hermetic Metal Package Fast Switching Low RDS(on) Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Ceramic Feedthroughs Also AvailableDESCRIPTIONThis series of hermetically packaged products feature the latest
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