OM11N55SA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: OM11N55SA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 550 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 3000 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.44 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
OM11N55SA Datasheet (PDF)
om11n60sa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
OM11N60SAOM11N55SAPOWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATEDTO-254AA PACKAGE600V & 550V, 11 Amp, N-ChannelMOSFET In Hermetic Metal PackageFEATURES Isolated Hermetic Metal Package Fast Switching Low RDS(on) Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Ceramic Feedthroughs Also AvailableDESCRIPTIONThis series of hermetically packaged products feature the latest
Другие MOSFET... NDT451AN , NDT451N , NDT452AP , NDT452P , NDT453N , NDT454P , NDT455N , NDT456P , IRFZ44 , OM11N60SA , OM1N100SA , OM1N100ST , OM3N100SA , OM3N100ST , OM5N100SA , OM6N100SA , PHB11N50E .