KDV303N Todos los transistores

 

KDV303N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDV303N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.68 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.64 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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KDV303N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  kexin
 kdv303n.pdf pdf_icon

KDV303N

SMD Type ICSMD Type MOSFETDigital FET, N-ChannelKDV303NSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1 Features+0.10.4-0.1 0.68 A, 25 V. RDS(ON) = 0.45 @ VGS = 4.5 V 3 RDS(ON) = 0.6 @ VGS = 2.7 V. Very low level gate drive requirements allowing direct12operation in 3V circuits. VGS(th)

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APT10086SVR | CEM4311 | BF510 | STM8405

 

 
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