Справочник MOSFET. KDV303N

 

KDV303N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDV303N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.68 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для KDV303N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDV303N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  kexin
 kdv303n.pdf pdf_icon

KDV303N

SMD Type ICSMD Type MOSFETDigital FET, N-ChannelKDV303NSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1 Features+0.10.4-0.1 0.68 A, 25 V. RDS(ON) = 0.45 @ VGS = 4.5 V 3 RDS(ON) = 0.6 @ VGS = 2.7 V. Very low level gate drive requirements allowing direct12operation in 3V circuits. VGS(th)

Другие MOSFET... KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , IRFP460 , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C , KDW258P , KE3587-G , KF10N65F , KF16N25D , KF16N25F .

History: IRF9520NL | IRFU6215 | FK14KM-10

 

 
Back to Top

 


 
.