KDV303N - описание и поиск аналогов

 

KDV303N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KDV303N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для KDV303N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDV303N даташит

 ..1. Size:264K  kexin
 kdv303n.pdf pdf_icon

KDV303N

SMD Type IC SMD Type MOSFET Digital FET, N-Channel KDV303N SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 Features +0.1 0.4-0.1 0.68 A, 25 V. RDS(ON) = 0.45 @ VGS = 4.5 V 3 RDS(ON) = 0.6 @ VGS = 2.7 V. Very low level gate drive requirements allowing direct 12 operation in 3V circuits. VGS(th)

Другие MOSFET... KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , IRF640 , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C , KDW258P , KE3587-G , KF10N65F , KF16N25D , KF16N25F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.