Справочник MOSFET. KDV303N

 

KDV303N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KDV303N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.68 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для KDV303N

 

 

KDV303N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  kexin
 kdv303n.pdf

KDV303N KDV303N

SMD Type ICSMD Type MOSFETDigital FET, N-ChannelKDV303NSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1 Features+0.10.4-0.1 0.68 A, 25 V. RDS(ON) = 0.45 @ VGS = 4.5 V 3 RDS(ON) = 0.6 @ VGS = 2.7 V. Very low level gate drive requirements allowing direct12operation in 3V circuits. VGS(th)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top