KE3587-G Todos los transistores

 

KE3587-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KE3587-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-163
 

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KE3587-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  tysemi
 ke3587-g me3587-g.pdf pdf_icon

KE3587-G

SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeMOSFETMOSFETProduct specification(ME3587-G)KE3587-G ( )SOT-23-6Unit: mm FeaturesN-channel:VDS=20V ID=4A RDS(ON)0.045 @VGS=4.5V S1 D2 D1 RDS(ON)0.068 @VGS=2.5V RDS(ON)0.12 @VGS=1.8VP-channel:VDS=-20V ID=-2A0to0.1 RDS(ON)0.11 @VGS=-4.5V

Otros transistores... KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C , KDW258P , 10N60 , KF10N65F , KF16N25D , KF16N25F , KF19N20D , KF19N20F , KF4N60D , KF4N60F , KF4N65FM .

History: IRFP343 | CM10N80P | IRF7828 | H5N2508DS | SIHW47N60E | MRF176GU

 

 
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