KE3587-G - аналоги и даташиты транзистора

 

KE3587-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KE3587-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT-163
 

 Аналог (замена) для KE3587-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KE3587-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  tysemi
 ke3587-g me3587-g.pdf pdf_icon

KE3587-G

SMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeSMD TypeMOSFETMOSFETProduct specification(ME3587-G)KE3587-G ( )SOT-23-6Unit: mm FeaturesN-channel:VDS=20V ID=4A RDS(ON)0.045 @VGS=4.5V S1 D2 D1 RDS(ON)0.068 @VGS=2.5V RDS(ON)0.12 @VGS=1.8VP-channel:VDS=-20V ID=-2A0to0.1 RDS(ON)0.11 @VGS=-4.5V

Другие MOSFET... KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C , KDW258P , 10N60 , KF10N65F , KF16N25D , KF16N25F , KF19N20D , KF19N20F , KF4N60D , KF4N60F , KF4N65FM .

 

 
Back to Top

 


 
.