KE3587-G - описание и поиск аналогов

 

KE3587-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KE3587-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT-163

Аналог (замена) для KE3587-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KE3587-G даташит

 ..1. Size:159K  tysemi
ke3587-g me3587-g.pdfpdf_icon

KE3587-G

Другие MOSFET... KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C , KDW258P , IRFP260N , KF10N65F , KF16N25D , KF16N25F , KF19N20D , KF19N20F , KF4N60D , KF4N60F , KF4N65FM .

History: HM100N02K | HM10N10I | SNN01Z10D | STD12NM50N | TK65S04N1L | STD150NH02L-1 | CEM9956A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.