KE3587-G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KE3587-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOT-163
Аналог (замена) для KE3587-G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
KE3587-G даташит
Другие MOSFET... KDS8928A , KDS8958 , KDS9952A , KDV303N , KDW2503N , KDW2504P , KDW2521C , KDW258P , IRFP260N , KF10N65F , KF16N25D , KF16N25F , KF19N20D , KF19N20F , KF4N60D , KF4N60F , KF4N65FM .
History: HM100N02K | HM10N10I | SNN01Z10D | STD12NM50N | TK65S04N1L | STD150NH02L-1 | CEM9956A
History: HM100N02K | HM10N10I | SNN01Z10D | STD12NM50N | TK65S04N1L | STD150NH02L-1 | CEM9956A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84

