OM11N60SA Todos los transistores

 

OM11N60SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OM11N60SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

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OM11N60SA Datasheet (PDF)

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OM11N60SA

OM11N60SAOM11N55SAPOWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATEDTO-254AA PACKAGE600V & 550V, 11 Amp, N-ChannelMOSFET In Hermetic Metal PackageFEATURES Isolated Hermetic Metal Package Fast Switching Low RDS(on) Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Ceramic Feedthroughs Also AvailableDESCRIPTIONThis series of hermetically packaged products feature the latest

Otros transistores... NDT451N , NDT452AP , NDT452P , NDT453N , NDT454P , NDT455N , NDT456P , OM11N55SA , IRFP260N , OM1N100SA , OM1N100ST , OM3N100SA , OM3N100ST , OM5N100SA , OM6N100SA , PHB11N50E , PHB125N06LT .

History: OM11N55SA

 

 
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