Справочник MOSFET. OM11N60SA

 

OM11N60SA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OM11N60SA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для OM11N60SA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OM11N60SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  omnirel
 om11n60sa.pdf pdf_icon

OM11N60SA

OM11N60SAOM11N55SAPOWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATEDTO-254AA PACKAGE600V & 550V, 11 Amp, N-ChannelMOSFET In Hermetic Metal PackageFEATURES Isolated Hermetic Metal Package Fast Switching Low RDS(on) Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Ceramic Feedthroughs Also AvailableDESCRIPTIONThis series of hermetically packaged products feature the latest

Другие MOSFET... NDT451N , NDT452AP , NDT452P , NDT453N , NDT454P , NDT455N , NDT456P , OM11N55SA , IRFP260N , OM1N100SA , OM1N100ST , OM3N100SA , OM3N100ST , OM5N100SA , OM6N100SA , PHB11N50E , PHB125N06LT .

 

 
Back to Top

 


 
.