OM11N60SA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OM11N60SA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 3000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для OM11N60SA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OM11N60SA даташит

 ..1. Size:30K  omnirel
 om11n60sa.pdf pdf_icon

OM11N60SA

OM11N60SA OM11N55SA POWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATED TO-254AA PACKAGE 600V & 550V, 11 Amp, N-Channel MOSFET In Hermetic Metal Package FEATURES Isolated Hermetic Metal Package Fast Switching Low RDS(on) Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Ceramic Feedthroughs Also Available DESCRIPTION This series of hermetically packaged products feature the latest

Другие IGBT... NDT451N, NDT452AP, NDT452P, NDT453N, NDT454P, NDT455N, NDT456P, OM11N55SA, IRLZ44N, OM1N100SA, OM1N100ST, OM3N100SA, OM3N100ST, OM5N100SA, OM6N100SA, PHB11N50E, PHB125N06LT