OM1N100ST Todos los transistores

 

OM1N100ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OM1N100ST
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

OM1N100ST Datasheet (PDF)

 6.1. Size:41K  omnirel
 om1n100sa.pdf pdf_icon

OM1N100ST

OM1N100SA OM5N100SA OM1N100STOM3N100SA OM6N100SA OM3N100STPOWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATEDJEDEC PACKAGE1000V, Up To 6 Amp, N-ChannelMOSFET In Hermetic Metal PackageFEATURES Isolated Hermetic Metal Package Fast Switching Low RDS(on) Available Screened To MIL-19500, TX, TXV And S Ceramic Feedthroughs Also AvailableDESCRIPTIONThis series of hermetically pa

Otros transistores... NDT452P , NDT453N , NDT454P , NDT455N , NDT456P , OM11N55SA , OM11N60SA , OM1N100SA , 10N60 , OM3N100SA , OM3N100ST , OM5N100SA , OM6N100SA , PHB11N50E , PHB125N06LT , PHB130N03LT , PHB21N06LT .

History: STH8NA60 | DMN2170U | HYG800P10LR1U | SML5085AN | SWT38N60K | STB6NK60Z | FNK10N25B

 

 
Back to Top

 


 
.