OM1N100ST - описание и поиск аналогов

 

OM1N100ST - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: OM1N100ST
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.2 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA

 Аналог (замена) для OM1N100ST

 

OM1N100ST технические параметры

 6.1. Size:41K  omnirel
 om1n100sa.pdf pdf_icon

OM1N100ST

OM1N100SA OM5N100SA OM1N100ST OM3N100SA OM6N100SA OM3N100ST POWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATED JEDEC PACKAGE 1000V, Up To 6 Amp, N-Channel MOSFET In Hermetic Metal Package FEATURES Isolated Hermetic Metal Package Fast Switching Low RDS(on) Available Screened To MIL-19500, TX, TXV And S Ceramic Feedthroughs Also Available DESCRIPTION This series of hermetically pa

Другие MOSFET... NDT452P , NDT453N , NDT454P , NDT455N , NDT456P , OM11N55SA , OM11N60SA , OM1N100SA , IRF640N , OM3N100SA , OM3N100ST , OM5N100SA , OM6N100SA , PHB11N50E , PHB125N06LT , PHB130N03LT , PHB21N06LT .

 

 
Back to Top

 


 
.