OM1N100ST datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OM1N100ST  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.2 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для OM1N100ST

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OM1N100ST даташит

 6.1. Size:41K  omnirel
 om1n100sa.pdf pdf_icon

OM1N100ST

OM1N100SA OM5N100SA OM1N100ST OM3N100SA OM6N100SA OM3N100ST POWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATED JEDEC PACKAGE 1000V, Up To 6 Amp, N-Channel MOSFET In Hermetic Metal Package FEATURES Isolated Hermetic Metal Package Fast Switching Low RDS(on) Available Screened To MIL-19500, TX, TXV And S Ceramic Feedthroughs Also Available DESCRIPTION This series of hermetically pa

Другие IGBT... NDT452P, NDT453N, NDT454P, NDT455N, NDT456P, OM11N55SA, OM11N60SA, OM1N100SA, IRFP260N, OM3N100SA, OM3N100ST, OM5N100SA, OM6N100SA, PHB11N50E, PHB125N06LT, PHB130N03LT, PHB21N06LT