OM3N100ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: OM3N100ST
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 90 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1000 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 950 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA

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OM3N100ST Datasheet (PDF)

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