OM3N100ST datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OM3N100ST  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.4 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для OM3N100ST

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OM3N100ST даташит

No data!

Другие IGBT... NDT454P, NDT455N, NDT456P, OM11N55SA, OM11N60SA, OM1N100SA, OM1N100ST, OM3N100SA, IRF640N, OM5N100SA, OM6N100SA, PHB11N50E, PHB125N06LT, PHB130N03LT, PHB21N06LT, PHB24N03LT, PHB2N50E