OM5N100SA Todos los transistores

 

OM5N100SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OM5N100SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

OM5N100SA Datasheet (PDF)

 7.1. Size:19K  omnirel
 om5n100nk.pdf pdf_icon

OM5N100SA

OM5N100NKOM6N100NKPOWER MOSFETS IN A TO-3 PACKAGE1000V, Up To 6 Amp, N-ChannelMOSFETs In A TO-3 PackageFEATURES TO-3 Hermetic Package, .060 Dia. Leads Fast Switching Low RDS(on) 1000 Volt, Size 5 Die Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S LevelsDESCRIPTIONThis series of hermetically packaged products feature the latest advanced MOSFETand packag

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History: 2SK2993L | AON3806 | FQP12N65C | SSG4394N | HUF75623P3 | CEP14A04 | STS4DPF30L

 

 
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