OM5N100SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OM5N100SA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 130 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1000 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2600 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET OM5N100SA
OM5N100SA Datasheet (PDF)
om5n100nk.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
OM5N100NKOM6N100NKPOWER MOSFETS IN A TO-3 PACKAGE1000V, Up To 6 Amp, N-ChannelMOSFETs In A TO-3 PackageFEATURES TO-3 Hermetic Package, .060 Dia. Leads Fast Switching Low RDS(on) 1000 Volt, Size 5 Die Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S LevelsDESCRIPTIONThis series of hermetically packaged products feature the latest advanced MOSFETand packag
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .