OM5N100SA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OM5N100SA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 2600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.2 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для OM5N100SA
OM5N100SA Datasheet (PDF)
om5n100nk.pdf

OM5N100NKOM6N100NKPOWER MOSFETS IN A TO-3 PACKAGE1000V, Up To 6 Amp, N-ChannelMOSFETs In A TO-3 PackageFEATURES TO-3 Hermetic Package, .060 Dia. Leads Fast Switching Low RDS(on) 1000 Volt, Size 5 Die Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S LevelsDESCRIPTIONThis series of hermetically packaged products feature the latest advanced MOSFETand packag
Другие MOSFET... NDT455N , NDT456P , OM11N55SA , OM11N60SA , OM1N100SA , OM1N100ST , OM3N100SA , OM3N100ST , AON6414A , OM6N100SA , PHB11N50E , PHB125N06LT , PHB130N03LT , PHB21N06LT , PHB24N03LT , PHB2N50E , PHB2N60E .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73