OM5N100SA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OM5N100SA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 2600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.2 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для OM5N100SA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OM5N100SA даташит

 7.1. Size:19K  omnirel
 om5n100nk.pdf pdf_icon

OM5N100SA

OM5N100NK OM6N100NK POWER MOSFETS IN A TO-3 PACKAGE 1000V, Up To 6 Amp, N-Channel MOSFETs In A TO-3 Package FEATURES TO-3 Hermetic Package, .060 Dia. Leads Fast Switching Low RDS(on) 1000 Volt, Size 5 Die Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels DESCRIPTION This series of hermetically packaged products feature the latest advanced MOSFET and packag

Другие IGBT... NDT455N, NDT456P, OM11N55SA, OM11N60SA, OM1N100SA, OM1N100ST, OM3N100SA, OM3N100ST, AON6414A, OM6N100SA, PHB11N50E, PHB125N06LT, PHB130N03LT, PHB21N06LT, PHB24N03LT, PHB2N50E, PHB2N60E