OM5N100SA - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OM5N100SA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 2600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.2 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
OM5N100SA технические параметры
om5n100nk.pdf
OM5N100NK OM6N100NK POWER MOSFETS IN A TO-3 PACKAGE 1000V, Up To 6 Amp, N-Channel MOSFETs In A TO-3 Package FEATURES TO-3 Hermetic Package, .060 Dia. Leads Fast Switching Low RDS(on) 1000 Volt, Size 5 Die Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels DESCRIPTION This series of hermetically packaged products feature the latest advanced MOSFET and packag
Другие MOSFET... NDT455N , NDT456P , OM11N55SA , OM11N60SA , OM1N100SA , OM1N100ST , OM3N100SA , OM3N100ST , IRFB4227 , OM6N100SA , PHB11N50E , PHB125N06LT , PHB130N03LT , PHB21N06LT , PHB24N03LT , PHB2N50E , PHB2N60E .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73


