OM6N100SA Todos los transistores

 

OM6N100SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OM6N100SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

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OM6N100SA Datasheet (PDF)

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History: SIHB12N65E

 

 
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