OM6N100SA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OM6N100SA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 2600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.2 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для OM6N100SA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OM6N100SA даташит

No data!

Другие IGBT... NDT456P, OM11N55SA, OM11N60SA, OM1N100SA, OM1N100ST, OM3N100SA, OM3N100ST, OM5N100SA, 8205A, PHB11N50E, PHB125N06LT, PHB130N03LT, PHB21N06LT, PHB24N03LT, PHB2N50E, PHB2N60E, PHB37N06LT