KI4953DY Todos los transistores

 

KI4953DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI4953DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KI4953DY Datasheet (PDF)

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KI4953DY

SMD Type ICSMD Type ICDual P-Channel 30-V(D-S) MOSFETKI4953DYFeatures100% Rg Tested1: Source 13: Source 22: Gate 1 4: Gate 27,8: Drain 1 5,6: Drain 2Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS -30VGate-Source Voltage VGS 20TA =25 -4.9Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * IDTA =70 -3.9APulsed Drain Current IDM -30C

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History: RJK1008DPE

 

 
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