KI4953DY Todos los transistores

 

KI4953DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI4953DY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KI4953DY datasheet

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KI4953DY

SMD Type IC SMD Type IC Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET KI4953DY Features 100% Rg Tested 1 Source 1 3 Source 2 2 Gate 1 4 Gate 2 7,8 Drain 1 5,6 Drain 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 TA =25 -4.9 Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * ID TA =70 -3.9 A Pulsed Drain Current IDM -30 C

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