KI4953DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI4953DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.053 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
KI4953DY Datasheet (PDF)
..1. Size:50K kexin
ki4953dy.pdf
ki4953dy.pdf
SMD Type ICSMD Type ICDual P-Channel 30-V(D-S) MOSFETKI4953DYFeatures100% Rg Tested1: Source 13: Source 22: Gate 1 4: Gate 27,8: Drain 1 5,6: Drain 2Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS -30VGate-Source Voltage VGS 20TA =25 -4.9Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * IDTA =70 -3.9APulsed Drain Current IDM -30C
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
