PHB130N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHB130N03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT404
Búsqueda de reemplazo de PHB130N03LT MOSFET
PHB130N03LT Datasheet (PDF)
phb130n03l.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB130N03LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 30 Vmounting using trench technology. ID Drain current (DC)1 75 AThedevice fe
phb130n03t 1.pdf
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History: AP2310S
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Liste
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