PHB130N03LT - аналоги и даташиты транзистора

 

PHB130N03LT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHB130N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOT404

 Аналог (замена) для PHB130N03LT

 

PHB130N03LT Datasheet (PDF)

 4.1. Size:51K  philips
 phb130n03l.pdf pdf_icon

PHB130N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB130N03LT Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 30 V mounting using trench technology. ID Drain current (DC)1 75 A Thedevice fe

 5.1. Size:52K  philips
 phb130n03t 1.pdf pdf_icon

PHB130N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB130N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 V suitable for surface mounting using ID Drain current (DC)1 75 A trench technology. The dev

Другие MOSFET... OM1N100SA , OM1N100ST , OM3N100SA , OM3N100ST , OM5N100SA , OM6N100SA , PHB11N50E , PHB125N06LT , IRFB4115 , PHB21N06LT , PHB24N03LT , PHB2N50E , PHB2N60E , PHB37N06LT , PHB3N40E , PHB3N50E , PHB3N60E .

 

 
Back to Top

 


 
.