Справочник MOSFET. PHB130N03LT

 

PHB130N03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB130N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOT404
 

 Аналог (замена) для PHB130N03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB130N03LT Datasheet (PDF)

 4.1. Size:51K  philips
 phb130n03l.pdf pdf_icon

PHB130N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB130N03LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 30 Vmounting using trench technology. ID Drain current (DC)1 75 AThedevice fe

 5.1. Size:52K  philips
 phb130n03t 1.pdf pdf_icon

PHB130N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB130N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 Vsuitable for surface mounting using ID Drain current (DC)1 75 Atrench technology. The dev

Другие MOSFET... OM1N100SA , OM1N100ST , OM3N100SA , OM3N100ST , OM5N100SA , OM6N100SA , PHB11N50E , PHB125N06LT , IRFP250N , PHB21N06LT , PHB24N03LT , PHB2N50E , PHB2N60E , PHB37N06LT , PHB3N40E , PHB3N50E , PHB3N60E .

History: FDMS86252 | SSP6N55

 

 
Back to Top

 


 
.