Справочник MOSFET. PHB130N03LT

 

PHB130N03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHB130N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOT404

 Аналог (замена) для PHB130N03LT

 

 

PHB130N03LT Datasheet (PDF)

 4.1. Size:51K  philips
 phb130n03l.pdf

PHB130N03LT PHB130N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB130N03LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 30 Vmounting using trench technology. ID Drain current (DC)1 75 AThedevice fe

 5.1. Size:52K  philips
 phb130n03t 1.pdf

PHB130N03LT PHB130N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB130N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 Vsuitable for surface mounting using ID Drain current (DC)1 75 Atrench technology. The dev

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top