PHB130N03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHB130N03LT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: SOT404

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PHB130N03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB130N03LT даташит

 4.1. Size:51K  philips
 phb130n03l.pdf pdf_icon

PHB130N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB130N03LT Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 30 V mounting using trench technology. ID Drain current (DC)1 75 A Thedevice fe

 5.1. Size:52K  philips
 phb130n03t 1.pdf pdf_icon

PHB130N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB130N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 V suitable for surface mounting using ID Drain current (DC)1 75 A trench technology. The dev

Другие IGBT... OM1N100SA, OM1N100ST, OM3N100SA, OM3N100ST, OM5N100SA, OM6N100SA, PHB11N50E, PHB125N06LT, IRFB4115, PHB21N06LT, PHB24N03LT, PHB2N50E, PHB2N60E, PHB37N06LT, PHB3N40E, PHB3N50E, PHB3N60E