KI5P03DY Todos los transistores

 

KI5P03DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI5P03DY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 306 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KI5P03DY datasheet

 ..1. Size:188K  tysemi
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KI5P03DY

SMD Type IC SMD Type MOSFE SMD Type MOSFET Product specification KI5P03DY Features 5.3 A, -30 V. RDS(ON) = 50 m @ VGS = -10 V RDS(ON) = 80 m @ VGS = -4.5 V Low gate charge Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability 8 1 2 7 3 6 4 5 Absolute Maximum Ratings T

 9.1. Size:886K  kexin
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KI5P03DY

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET KI5P04DS SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-40V ID =-5.3 A (VGS =-10V) 1 2 RDS(ON) 85m (VGS =-10V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 RDS(ON) 126m (VGS =-4.5V) +0.1 D 1.9-0.2 High power and current handing capability G 1. Gate 2. Source 3. Drain S Absolute Maximum

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