KI5P03DY Todos los transistores

 

KI5P03DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI5P03DY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 14 nC

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 306 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.05 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP-8

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KI5P03DY Datasheet (PDF)

1.1. ki5p03dy.pdf Size:188K _update_mosfet

KI5P03DY
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SMD Type IC SMD Type MOSFE SMD Type MOSFET Product specification KI5P03DY ■ Features ● 5.3 A, -30 V. RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -10 V RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = -4.5 V ● Low gate charge ● Fast switching speed ● High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ● High power and current handling capability 8 1 2 7 3 6 4 5 ■ Absolute Maximum Ratings T

5.1. ki5p04ds.pdf Size:886K _kexin

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SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET KI5P04DS SOT-23-3 Unit: mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 ■ Features ● VDS (V) =-40V ● ID =-5.3 A (VGS =-10V) 1 2 ● RDS(ON) < 85mΩ (VGS =-10V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 ● RDS(ON) < 126mΩ (VGS =-4.5V) +0.1 D 1.9-0.2 ● High power and current handing capability G 1. Gate 2. Source 3. Drain S ■ Absolute Maximum

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