KI5P03DY Todos los transistores

 

KI5P03DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI5P03DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 306 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

KI5P03DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  tysemi
 ki5p03dy.pdf pdf_icon

KI5P03DY

SMD Type ICSMD Type MOSFESMD Type MOSFETProduct specification KI5P03DY Features 5.3 A, -30 V. RDS(ON) = 50 m @ VGS = -10 V RDS(ON) = 80 m @ VGS = -4.5 V Low gate charge Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability812 73 64 5 Absolute Maximum Ratings T

 9.1. Size:886K  kexin
 ki5p04ds.pdf pdf_icon

KI5P03DY

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI5P04DSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-40V ID =-5.3 A (VGS =-10V)1 2 RDS(ON) 85m (VGS =-10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 126m (VGS =-4.5V) +0.1D1.9-0.2 High power and current handing capabilityG 1. Gate2. Source3. DrainS Absolute Maximum

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TDM3420

 

 
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