Справочник MOSFET. KI5P03DY

 

KI5P03DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: KI5P03DY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 14 nC

Время нарастания (tr): 10 ns

Выходная емкость (Cd): 306 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KI5P03DY

 

 

KI5P03DY Datasheet (PDF)

1.1. ki5p03dy.pdf Size:188K _update_mosfet

KI5P03DY
KI5P03DY

SMD Type IC SMD Type MOSFE SMD Type MOSFET Product specification KI5P03DY ■ Features ● 5.3 A, -30 V. RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -10 V RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = -4.5 V ● Low gate charge ● Fast switching speed ● High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ● High power and current handling capability 8 1 2 7 3 6 4 5 ■ Absolute Maximum Ratings T

5.1. ki5p04ds.pdf Size:886K _kexin

KI5P03DY
KI5P03DY

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET KI5P04DS SOT-23-3 Unit: mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 ■ Features ● VDS (V) =-40V ● ID =-5.3 A (VGS =-10V) 1 2 ● RDS(ON) < 85mΩ (VGS =-10V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 ● RDS(ON) < 126mΩ (VGS =-4.5V) +0.1 D 1.9-0.2 ● High power and current handing capability G 1. Gate 2. Source 3. Drain S ■ Absolute Maximum

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top

 


KI5P03DY
  KI5P03DY
  KI5P03DY
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: US6U37 | US6M2 | US6M11 | US6M1 | US6K4 | US6K2 | US6K1 | US6J11 | US5U38 | US5U35 | US5U30 | US5U3 | US5U29TR | US5U2 | US5U1 |
 

 

 

 

 

Back to Top