KI5P03DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI5P03DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 306 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
KI5P03DY Datasheet (PDF)
1.1. ki5p03dy.pdf 
Size:188K _update_mosfet
SMD Type IC SMD Type MOSFE SMD Type MOSFET Product specification KI5P03DY ■ Features ● 5.3 A, -30 V. RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -10 V RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = -4.5 V ● Low gate charge ● Fast switching speed ● High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ● High power and current handling capability 8 1 2 7 3 6 4 5 ■ Absolute Maximum Ratings T
5.1. ki5p04ds.pdf Size:886K _kexin
SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET KI5P04DS SOT-23-3 Unit: mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 ■ Features ● VDS (V) =-40V ● ID =-5.3 A (VGS =-10V) 1 2 ● RDS(ON) ＜ 85mΩ (VGS =-10V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 ● RDS(ON) ＜ 126mΩ (VGS =-4.5V) +0.1 D 1.9-0.2 ● High power and current handing capability G 1. Gate 2. Source 3. Drain S ■ Absolute Maximum
Другие MOSFET... NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , IRF540N , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 .
