PHB24N03LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHB24N03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT404
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHB24N03LT
Principales características: PHB24N03LT
php24n03lt phb24n03lt.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP24N03LT, PHB24N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 24 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 56 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance
phb24n03t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB24N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 V suitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 24 A trench technology. The devic
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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