PHB24N03LT Todos los transistores

 

PHB24N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB24N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT404
 

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PHB24N03LT Datasheet (PDF)

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PHB24N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP24N03LT, PHB24N03LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 24 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 56 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance

 6.1. Size:51K  philips
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PHB24N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB24N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 Vsuitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 24 Atrench technology. The devic

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