PHB24N03LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB24N03LT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm

Encapsulados: SOT404

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PHB24N03LT datasheet

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PHB24N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP24N03LT, PHB24N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 24 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 56 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

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PHB24N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB24N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 V suitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 24 A trench technology. The devic

Otros transistores... OM3N100SA, OM3N100ST, OM5N100SA, OM6N100SA, PHB11N50E, PHB125N06LT, PHB130N03LT, PHB21N06LT, AO3400, PHB2N50E, PHB2N60E, PHB37N06LT, PHB3N40E, PHB3N50E, PHB3N60E, PHB42N03LT, PHB44N06LT