PHB24N03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHB24N03LT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: SOT404

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PHB24N03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB24N03LT даташит

 ..1. Size:54K  philips
 php24n03lt phb24n03lt.pdf pdf_icon

PHB24N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP24N03LT, PHB24N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 24 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 56 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

 6.1. Size:51K  philips
 phb24n03t 1.pdf pdf_icon

PHB24N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB24N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 V suitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 24 A trench technology. The devic

Другие IGBT... OM3N100SA, OM3N100ST, OM5N100SA, OM6N100SA, PHB11N50E, PHB125N06LT, PHB130N03LT, PHB21N06LT, AO3400, PHB2N50E, PHB2N60E, PHB37N06LT, PHB3N40E, PHB3N50E, PHB3N60E, PHB42N03LT, PHB44N06LT