KML0D4P20E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KML0D4P20E
   Código: C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: ESM

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KML0D4P20E

KML0D4P20E Datasheet (PDF)

..1. Size:783K kec
kml0d4p20e.pdf

SEMICONDUCTOR KML0D4P20ETECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionIt s Mainly Suitable for Load Switching Mobile Phones, Battery PoweredSystems and Level-Shifter.FEATURES VDSS= -20V, ID= -0.35ADrain-Soure ON Resistance : RDS(ON)=1.2 @ VGS= -4.5V: RDS(ON)=1.6 @ VGS= -2.5V: RDS(ON)=2.7 @ VGS= -1.8VESD Protection diode.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHA

8.1. Size:771K kec
kml0d4n20e.pdf

SEMICONDUCTOR KML0D4N20ETECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionIt s mainly suitable for Load Switching Mobile Phones, Battery PoweredSystems and Level-Shifter.FEATURES VDSS=20V, ID=0.4ADrain-Soure ON Resistance : RDS(ON)=0.70 @ VGS=4.5V: RDS(ON)=0.85 @ VGS=2.5V: RDS(ON)=1.25 @ VGS=1.8VSuper High Dense Cell DesignMAXIMUM RATING (Ta=25)CHAR

8.2. Size:377K kec
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SEMICONDUCTOR KML0D4N20VTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionIts mainly suitable for Load Switching Cell Phones, Battery PoweredSystems and Level-Shifter.EBDIM MILLIMETERS2FEATURES _A 1.2 +0.05_B 0.8 +0.05VDSS=20V, ID=0.4A13_C 0.5 + 0.05Drain-Soure ON Resistance _D 0.3 + 0.05_E 1.2 + 0.05: RDS(ON)=0.70 @ VGS=4.5V_G 0.8 +

8.3. Size:743K kec
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SEMICONDUCTOR KML0D4N20TVTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionIt s mainly suitable for Load Switching Cell Phones, Battery PoweredESystems and Level-Shifter.B2DIM MILLIMETERSFEATURES _1 A 1.2 +0.053_B 0.8 +0.05VDSS=20V, ID=0.4AC 0.34 MaxDrain-Soure ON Resistance _D 0.3 + 0.05_E 1.2 + 0.05: RDS(ON)=0.70 @ VGS=4.5V_F 0.8 + 0.05

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: