Справочник MOSFET. KML0D4P20E

 

KML0D4P20E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: KML0D4P20E

Маркировка: C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.21 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 6 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.35 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 1.5 nC

Время нарастания (tr): 3 ns

Выходная емкость (Cd): 16 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: ESM

Аналог (замена) для KML0D4P20E

 

 

KML0D4P20E Datasheet (PDF)

1.1. kml0d4p20e.pdf Size:783K _update_mosfet

KML0D4P20E
KML0D4P20E

SEMICONDUCTOR KML0D4P20E TECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFET General Description It s Mainly Suitable for Load Switching Mobile Phones, Battery Powered Systems and Level-Shifter. FEATURES ·VDSS= -20V, ID= -0.35A ·Drain-Soure ON Resistance : RDS(ON)=1.2Ω @ VGS= -4.5V : RDS(ON)=1.6Ω @ VGS= -2.5V : RDS(ON)=2.7Ω @ VGS= -1.8V ·ESD Protection diode. MAXIMUM RATING (Ta=25℃) CHA

4.1. kml0d4n20e.pdf Size:771K _update_mosfet

KML0D4P20E
KML0D4P20E

SEMICONDUCTOR KML0D4N20E TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description It s mainly suitable for Load Switching Mobile Phones, Battery Powered Systems and Level-Shifter. FEATURES ·VDSS=20V, ID=0.4A ·Drain-Soure ON Resistance : RDS(ON)=0.70Ω @ VGS=4.5V : RDS(ON)=0.85Ω @ VGS=2.5V : RDS(ON)=1.25Ω @ VGS=1.8V ·Super High Dense Cell Design MAXIMUM RATING (Ta=25℃) CHAR

4.2. kml0d4n20v.pdf Size:377K _kec

KML0D4P20E
KML0D4P20E

SEMICONDUCTOR KML0D4N20V TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description It’s mainly suitable for Load Switching Cell Phones, Battery Powered Systems and Level-Shifter. E B DIM MILLIMETERS 2 FEATURES _ A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 ·VDSS=20V, ID=0.4A 1 3 _ C 0.5 + 0.05 ·Drain-Soure ON Resistance _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05 : RDS(ON)=0.70Ω @ VGS=4.5V _ G 0.8 +

 4.3. kml0d4n20tv.pdf Size:743K _kec

KML0D4P20E
KML0D4P20E

SEMICONDUCTOR KML0D4N20TV TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description It s mainly suitable for Load Switching Cell Phones, Battery Powered E Systems and Level-Shifter. B 2 DIM MILLIMETERS FEATURES _ 1 A 1.2 +0.05 3 _ B 0.8 +0.05 ·VDSS=20V, ID=0.4A C 0.34 Max ·Drain-Soure ON Resistance _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05 : RDS(ON)=0.70Ω @ VGS=4.5V _ F 0.8 + 0.05

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


KML0D4P20E
  KML0D4P20E
  KML0D4P20E
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: UPA2700GR | UPA2680T1E | UPA2672T1R | UPA2670T1R | UPA2650T1E | UPA2593T1H | UPA2592T1H | UPA2591T1H | UPA2590T1H | UPA2562T1H | UPA2561T1H | UPA2560T1H | UPA2560 | UPA2550T1H | UPA2550 |
 

 

 

 

 

Back to Top