KP819AC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP819AC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 438 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Encapsulados: KT-82
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KP819AC datasheet
kp819ac.pdf
Syntez Microelectronics KP819AC SILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR 300 W, up to 230 MHz, Enhancement Mode The silicon MOS transistor is designed for professional transmitter applications in the HF/VHF frequency range. Features Performance at 230 MHz, 28 Vdc Power Gain 10 dB Min Output Power 300 W Efficiency 50 % Min Absolute Maximum Ratings Parameters Sym Value
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