KP819AC Todos los transistores

 

KP819AC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KP819AC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 438 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Paquete / Cubierta: KT-82
 

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KP819AC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  syntez microelectronics
 kp819ac.pdf pdf_icon

KP819AC

Syntez MicroelectronicsKP819ACSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR300 W, up to 230 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Performance at 230 MHz, 28 Vdc Power Gain: 10 dB Min Output Power: 300 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value

Otros transistores... KO3413 , KO3414 , KO3416 , KO3419 , KO3423 , KO8822 , KP11N60D , KP11N60F , 4N60 , KP821A , KP821B , KP826AC , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 .

History: SFG019N100C3 | PTW90N20 | ASDM65N18S

 

 
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