Справочник MOSFET. KP819AC

 

KP819AC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KP819AC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 438 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Тип корпуса: KT-82
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KP819AC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  syntez microelectronics
 kp819ac.pdf pdf_icon

KP819AC

Syntez MicroelectronicsKP819ACSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR300 W, up to 230 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Performance at 230 MHz, 28 Vdc Power Gain: 10 dB Min Output Power: 300 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.