KP819AC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KP819AC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 438 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Тип корпуса: KT-82
Аналог (замена) для KP819AC
KP819AC Datasheet (PDF)
kp819ac.pdf

Syntez MicroelectronicsKP819ACSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR300 W, up to 230 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Performance at 230 MHz, 28 Vdc Power Gain: 10 dB Min Output Power: 300 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value
Другие MOSFET... KO3413 , KO3414 , KO3416 , KO3419 , KO3423 , KO8822 , KP11N60D , KP11N60F , IRF1010E , KP821A , KP821B , KP826AC , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 .
History: PHX27NQ11T | MMFT5P03HDT1 | CS3N65F | CS3N50DU | IPD50N12S3L-15 | IRF6714M | HFD5N70S
History: PHX27NQ11T | MMFT5P03HDT1 | CS3N65F | CS3N50DU | IPD50N12S3L-15 | IRF6714M | HFD5N70S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n