Справочник MOSFET. KP819AC

 

KP819AC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KP819AC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 438 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Тип корпуса: KT-82

 Аналог (замена) для KP819AC

 

 

KP819AC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  syntez microelectronics
 kp819ac.pdf

KP819AC

Syntez MicroelectronicsKP819ACSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR300 W, up to 230 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Performance at 230 MHz, 28 Vdc Power Gain: 10 dB Min Output Power: 300 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top