KP819AC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KP819AC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 438 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Тип корпуса: KT-82
Аналог (замена) для KP819AC
KP819AC Datasheet (PDF)
kp819ac.pdf

Syntez MicroelectronicsKP819ACSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR300 W, up to 230 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Performance at 230 MHz, 28 Vdc Power Gain: 10 dB Min Output Power: 300 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value
Другие MOSFET... KO3413 , KO3414 , KO3416 , KO3419 , KO3423 , KO8822 , KP11N60D , KP11N60F , 4N60 , KP821A , KP821B , KP826AC , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n