Справочник MOSFET. KP819AC

 

KP819AC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KP819AC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 438 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Тип корпуса: KT-82
 

 Аналог (замена) для KP819AC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP819AC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  syntez microelectronics
 kp819ac.pdf pdf_icon

KP819AC

Syntez MicroelectronicsKP819ACSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR300 W, up to 230 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Performance at 230 MHz, 28 Vdc Power Gain: 10 dB Min Output Power: 300 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value

Другие MOSFET... KO3413 , KO3414 , KO3416 , KO3419 , KO3423 , KO8822 , KP11N60D , KP11N60F , 4N60 , KP821A , KP821B , KP826AC , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 .

History: INK0112AC1 | ME2306AS-G

 

 
Back to Top

 


 
.