KP821A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP821A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
Encapsulados: KT-83
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KP821A datasheet
kp821a.pdf
Syntez Microelectronics KP821A SILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR 5 W, up to 175 MHz, Enhancement Mode The silicon MOS transistor is designed for professional transmitter applications in the HF/VHF frequency range. Features Power Gain 19 dB Min Output Power 5 W Efficiency 50 % Min Absolute Maximum Ratings Parameters Sym Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 65 VDC
kp821b.pdf
Syntez Microelectronics KP821B SILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR 30 W, up to 175 MHz, Enhancement Mode The silicon MOS transistor is designed for professional transmitter applications in the HF/VHF frequency range. Features Power Gain 16 dB Min Output Power 30 W Efficiency 50 % Min Absolute Maximum Ratings Parameters Sym Value Unit Drain-Source Voltage V 65 V DSS
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