KP821A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KP821A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
Тип корпуса: KT-83
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
KP821A Datasheet (PDF)
kp821a.pdf

Syntez MicroelectronicsKP821ASILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR5 W, up to 175 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Power Gain: 19 dB Min Output Power: 5 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 65 VDC
kp821b.pdf

Syntez MicroelectronicsKP821BSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR30 W, up to 175 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Power Gain: 16 dB Min Output Power: 30 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitDrain-Source Voltage V 65 VDSS
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RFP4N40 | NVBG160N120SC1 | SSP6N90A | SM6A10NSU | TK39A60W | IRF1404ZLPBF
History: RFP4N40 | NVBG160N120SC1 | SSP6N90A | SM6A10NSU | TK39A60W | IRF1404ZLPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904