KP821B Todos los transistores

 

KP821B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KP821B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Paquete / Cubierta: KT-83
 

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KP821B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  syntez microelectronics
 kp821b.pdf pdf_icon

KP821B

Syntez MicroelectronicsKP821BSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR30 W, up to 175 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Power Gain: 16 dB Min Output Power: 30 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitDrain-Source Voltage V 65 VDSS

 9.1. Size:101K  syntez microelectronics
 kp821a.pdf pdf_icon

KP821B

Syntez MicroelectronicsKP821ASILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR5 W, up to 175 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Power Gain: 19 dB Min Output Power: 5 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 65 VDC

Otros transistores... KO3416 , KO3419 , KO3423 , KO8822 , KP11N60D , KP11N60F , KP819AC , KP821A , IRF530 , KP826AC , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 , KP8M7 , KP8M8 .

History: RD3U040CN | IRF3711ZCLPBF | OSG60R260DF | NCE30H15BG

 

 
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