KP821B Todos los transistores

 

KP821B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KP821B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Paquete / Cubierta: KT-83
     - Selección de transistores por parámetros

 

KP821B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  syntez microelectronics
 kp821b.pdf pdf_icon

KP821B

Syntez MicroelectronicsKP821BSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR30 W, up to 175 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Power Gain: 16 dB Min Output Power: 30 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitDrain-Source Voltage V 65 VDSS

 9.1. Size:101K  syntez microelectronics
 kp821a.pdf pdf_icon

KP821B

Syntez MicroelectronicsKP821ASILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR5 W, up to 175 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Power Gain: 19 dB Min Output Power: 5 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 65 VDC

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: IXTP50N28T

 

 
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