Справочник MOSFET. KP821B

 

KP821B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KP821B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Тип корпуса: KT-83
 

 Аналог (замена) для KP821B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP821B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  syntez microelectronics
 kp821b.pdf pdf_icon

KP821B

Syntez MicroelectronicsKP821BSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR30 W, up to 175 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Power Gain: 16 dB Min Output Power: 30 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitDrain-Source Voltage V 65 VDSS

 9.1. Size:101K  syntez microelectronics
 kp821a.pdf pdf_icon

KP821B

Syntez MicroelectronicsKP821ASILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR5 W, up to 175 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Power Gain: 19 dB Min Output Power: 5 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 65 VDC

Другие MOSFET... KO3416 , KO3419 , KO3423 , KO8822 , KP11N60D , KP11N60F , KP819AC , KP821A , IRF530 , KP826AC , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 , KP8M7 , KP8M8 .

History: 2N3458 | NTMFS5C646NLT3G | IRF7509

 

 
Back to Top

 


 
.