KP821B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KP821B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 67 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
Тип корпуса: KT-83
Аналог (замена) для KP821B
KP821B Datasheet (PDF)
kp821b.pdf

Syntez MicroelectronicsKP821BSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR30 W, up to 175 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Power Gain: 16 dB Min Output Power: 30 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitDrain-Source Voltage V 65 VDSS
kp821a.pdf

Syntez MicroelectronicsKP821ASILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR5 W, up to 175 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF/VHF frequencyrange.Features: Power Gain: 19 dB Min Output Power: 5 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 65 VDC
Другие MOSFET... KO3416 , KO3419 , KO3423 , KO8822 , KP11N60D , KP11N60F , KP819AC , KP821A , TK10A60D , KP826AC , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 , KP8M7 , KP8M8 .
History: HMS4110T | TW0115SR-Y | VS4610AP | AP50WN270I | STW7NA80 | SSM6P49NU | MTB55N10J3
History: HMS4110T | TW0115SR-Y | VS4610AP | AP50WN270I | STW7NA80 | SSM6P49NU | MTB55N10J3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet