KP821B - описание и поиск аналогов

 

KP821B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KP821B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 67 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

Тип корпуса: KT-83

Аналог (замена) для KP821B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP821B даташит

 ..1. Size:101K  syntez microelectronics
kp821b.pdfpdf_icon

KP821B

Syntez Microelectronics KP821B SILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR 30 W, up to 175 MHz, Enhancement Mode The silicon MOS transistor is designed for professional transmitter applications in the HF/VHF frequency range. Features Power Gain 16 dB Min Output Power 30 W Efficiency 50 % Min Absolute Maximum Ratings Parameters Sym Value Unit Drain-Source Voltage V 65 V DSS

 9.1. Size:101K  syntez microelectronics
kp821a.pdfpdf_icon

KP821B

Syntez Microelectronics KP821A SILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR 5 W, up to 175 MHz, Enhancement Mode The silicon MOS transistor is designed for professional transmitter applications in the HF/VHF frequency range. Features Power Gain 19 dB Min Output Power 5 W Efficiency 50 % Min Absolute Maximum Ratings Parameters Sym Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 65 VDC

Другие MOSFET... KO3416 , KO3419 , KO3423 , KO8822 , KP11N60D , KP11N60F , KP819AC , KP821A , IRF1010E , KP826AC , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 , KP8M7 , KP8M8 .

History: KI5473DC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.