KP826AC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP826AC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 972 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 125 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
Paquete / Cubierta: KT-102-1
Búsqueda de reemplazo de KP826AC MOSFET
KP826AC Datasheet (PDF)
kp826ac.pdf

Syntez MicroelectronicsKP826ACSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR600 W, up to 80 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF frequency range.Features: Performance at 30 MHz, 50 Vdc Power Gain: 14 dB Min Output Power: 600 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitD
Otros transistores... KO3419 , KO3423 , KO8822 , KP11N60D , KP11N60F , KP819AC , KP821A , KP821B , AON7506 , KP8M10 , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 , KP8M7 , KP8M8 , KP8M9 .
History: BL12N60-P | IRHLUC7670Z4
History: BL12N60-P | IRHLUC7670Z4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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