KP826AC Todos los transistores

 

KP826AC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KP826AC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 972 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 125 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Paquete / Cubierta: KT-102-1
     - Selección de transistores por parámetros

 

KP826AC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  syntez microelectronics
 kp826ac.pdf pdf_icon

KP826AC

Syntez MicroelectronicsKP826ACSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR600 W, up to 80 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF frequency range.Features: Performance at 30 MHz, 50 Vdc Power Gain: 14 dB Min Output Power: 600 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitD

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HGN035N08AL | WM02N08L | CP650 | SWF2N70D

 

 
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