KP826AC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KP826AC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 972 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 125 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
Тип корпуса: KT-102-1
KP826AC Datasheet (PDF)
kp826ac.pdf
Syntez MicroelectronicsKP826ACSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR600 W, up to 80 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF frequency range.Features: Performance at 30 MHz, 50 Vdc Power Gain: 14 dB Min Output Power: 600 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitD
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918