KP826AC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KP826AC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 972 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 125 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
Тип корпуса: KT-102-1
KP826AC Datasheet (PDF)
kp826ac.pdf
Syntez MicroelectronicsKP826ACSILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR600 W, up to 80 MHz, Enhancement ModeThe silicon MOS transistor is designed for professionaltransmitter applications in the HF frequency range.Features: Performance at 30 MHz, 50 Vdc Power Gain: 14 dB Min Output Power: 600 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitD
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F