KP8M10 Todos los transistores

 

KP8M10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KP8M10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KP8M10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  tysemi
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KP8M10

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Typ

Otros transistores... KO3423 , KO8822 , KP11N60D , KP11N60F , KP819AC , KP821A , KP821B , KP826AC , IRLZ44N , KP8M3 , KP8M4 , KP8M5 , KP8M6 , KP8M7 , KP8M8 , KP8M9 , KP8N60D .

History: PTB9506E | SSM5H11TU | SD5001N | 2SK962-01 | PSMN2R8-25MLC | KO3419 | MS10N80

 

 
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